考慮Al膜的致密性就相當(dāng)于考慮Al膜的晶粒的大小，密度以及能達(dá)到均勻化的程度，因?yàn)樗仓苯佑绊慉l膜的其它性能，進(jìn)而影響半導(dǎo)體嘩啦的性能。

氣相沉積的多晶Al膜的晶粒尺寸隨著沉積過(guò)程中吸附原子或原子團(tuán)在基片表面遷移率的增加而增加。

由此可以看出Al膜的晶粒尺寸的大小將取決環(huán)于基片溫度、沉積速度、氣相原子在平行基片方面的速度分量、基片表面光潔度和化學(xué)活性等因素。

由于電子束蒸發(fā)的基片溫度Ts=120°C，蒸發(fā)速率20—2高等/s，蒸汽Al原子的能量為0.1—0.3eV，而濺射的基片溫度Ts=120°C，濺射速率8000A/min(133.3A/s)或10000A/min(166.7A/s)，濺射閾為13eV，濺射Al原子的能量比電子束蒸發(fā)的Al原了能量高1—2個(gè)數(shù)量級(jí)，所以電子束蒸發(fā)的Al原子碰到基片，很快失去能量，且遷移率很小，故原子在表面上重新排列較困難，即沉積的地方就是定位的地方成原子之間的空隙非常大，有面粗糙度很大;濺射的基片溫度較高，Al原子能量也較高，在而基片表面的原子遷移率加大，使得薄膜表面橫向動(dòng)能非常大，易于連結(jié)殂成光滑的表面，穩(wěn)定性較高，晶粒非常大，原子間距較小，因而形成的薄膜表面粗糙芳減小。

通過(guò)環(huán)境掃描電子顯微鏡philipsXL30-ESEM觀測(cè)，并分析兩種Al膜的晶粒大小及表面形貌的SEM照片也能驗(yàn)證這一結(jié)論，電子束蒸發(fā)的平均粒徑為266.8nm，濺射的平均粒徑為1.528μm，雖然電子束蒸發(fā)Al膜的粒徑明顯小于濺射的Al薄膜，但是電子束蒸發(fā)的Al原子較終不得靠得很近，當(dāng)中存在很多間隙，而且濺射的Al原子相互靠得很緊，從側(cè)面觀測(cè)，濺射的Al膜平滑而且色澤光亮，說(shuō)明濺射Al膜的致密較好。

濺射的晶粒非常大還有一個(gè)好處，減小了晶界面積，從而減少電遷移短路通道的數(shù)目，有利于增強(qiáng)Al膜的抗電遷移能力，延長(zhǎng)Al膜的平均壽命。但晶粒尺寸不可太大，否則影響Al膜細(xì)線條圖形的光刻質(zhì)量。同時(shí)，濺射的Al膜晶粒雖大，但可以通過(guò)的后面的熱處理使之細(xì)化并使性能更加優(yōu)越。

2.4電導(dǎo)率

金屬與半導(dǎo)體接觸并非一定能夠形成一個(gè)純電阻性接觸。如果接觸電阻太大，即電阻率低，則外加的信號(hào)電壓就會(huì)有相當(dāng)大的一部分降落在接觸電阻上，造成不必要的電壓降和功率損耗，所以要想獲得低阻的歐姆接觸，膜層的電阻率應(yīng)盡量小，電導(dǎo)率應(yīng)盡量高。