硅碳棒在氧化氣氛中使用會(huì )逐漸氧化生成二氧化硅，隨之電阻逐漸增加導致硅碳棒老化，此外也與材料老化性能有關(guān)。氧化反應方程式如下：SiC+2O2 → SiO2+CO2    碳化硅在空氣中與氧氣（O2）反應，隨著(zhù)二氧化硅（SiO2）數量的增加，硅碳棒表面逐步氧化，引起阻值加大。當溫度達到800℃時(shí)出現氧化反應，溫度越高反應越快。這種氧化過(guò)程在硅碳棒的使用初期硅碳棒表面未能形成致密的氧化膜，氧化反應較快，電阻增加尤為顯著(zhù)，隨著(zhù)反應的進(jìn)行，當在硅碳棒表面形成致密的氧化膜以后，進(jìn)入電阻穩定區。之后隨著(zhù)時(shí)間的增加，導電層逐漸減少，絕緣層逐漸增加，硅碳棒的內部產(chǎn)生局部過(guò)熱，電阻快速增加。一般情況下當阻值達到初始阻值的約3倍時(shí)，硅碳棒的壽命達到較限（而螺旋棒卻不同，要達到其初始阻值的約1.7倍）。這是因為當阻值增加到其3倍時(shí)，每根棒發(fā)熱分布不均勻，從而導致?tīng)t內溫度分布不均勻。當硅碳棒壽命將盡時(shí)，不但阻值會(huì )增加而且會(huì )因氣孔率的變化、強度變化等原因發(fā)生斷棒事件。 ① 硅碳棒溫度越高壽命越短。特別是在爐膛溫度超過(guò)1400℃以后，氧化速度加快，硅碳棒的使用壽命變短，所以請盡量不要讓硅碳棒表面溫度過(guò)高，即有必要縮小爐膛溫度與硅碳棒溫度之差。②表面負荷密度指棒的發(fā)熱部單位表面積所允許承載的額定功率。 表面負荷密度=額定功率（W）/ 發(fā)熱部表面積（cm2）     實(shí)踐證明：負荷密度大則發(fā)熱體表面溫度與爐膛溫度之差也大。負荷密度大則棒體表面溫度高，電阻增長(cháng)快，SIC棒的壽命短。因此，硅碳棒表面溫度負荷密度、爐內氣氛、溫度與SIC棒老化速度成正比，與SIC棒的壽命成反比。   爐膛溫度與表面負荷密度的關(guān)系     圖示的使用范圍曲線(xiàn)為表面負荷密度臨界線(xiàn)，實(shí)際情況下請保持臨界線(xiàn)的1/2—1/3的表面負荷。硅碳棒的額定值在冷端部已有標注，此額定電流是在空氣中表面溫度為1000±50℃時(shí)測定的，此時(shí)表面負荷密度為15W/cm2左右。請注意如果按額定電壓、電流給硅碳棒通電將造成硅碳棒超負荷。③ 在燒成中與處理物揮發(fā)出來(lái)的各種化學(xué)物質(zhì)之間的反應也同樣需要注意。在實(shí)際高溫使用過(guò)程中，硅碳棒如果與水、氫、氮、硫、鹵素等氣體及熔融的鋁、堿、鹽、熔融金屬、金屬氧化物接觸的話(huà)，也會(huì )發(fā)生反應、腐蝕或氧化現象。④ 電氣爐晝夜連續運轉與間斷運轉相比，前者的壽命較長(cháng)。硅碳棒在使用中表面氧化生成二氧化硅皮膜。長(cháng)時(shí)間使用使二氧化硅皮膜增加，硅碳棒阻值也隨之增加。此二氧化硅皮膜在結晶臨界點(diǎn)（270℃）附近發(fā)生異常膨脹、收縮。因間斷使用總在此溫度上下浮動(dòng)，所以反復破壞皮膜、加速氧化。所以停電爐溫降至室溫時(shí)經(jīng)常急劇增加電阻。⑤ 如果硅碳棒阻值不同，串聯(lián)時(shí)電阻高的硅碳棒負荷較集中，易導致某一根硅碳棒的電阻快速增加，壽命變短。宏遠硅碳棒一般是串、并聯(lián)接線(xiàn)結合使用。建議采用2根串聯(lián)為一組后多組并聯(lián)。特別當爐內溫度超過(guò)1350℃時(shí)必須并聯(lián)。三相接線(xiàn)時(shí)建議使用公開(kāi)三角形接線(xiàn)。    硅碳棒的壽命還因 ① 使用溫度 ②表面負荷密度 ③ 爐內處理物的氣氛及材料 ④ 爐子運行方式 ⑤ 接線(xiàn)方法的不同而有所不同。