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BBO晶體(定制)武漢中科宇晶

產(chǎn)品信息

產(chǎn)品詳細

武漢中科宇晶光電是一家國際領(lǐng)先的BBO晶體專(zhuān)業(yè)供應商: §        優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品售前服務(wù)(專(zhuān)業(yè)的工程師根據客戶(hù)具體應用需求推薦相應的BBO晶體,接受客戶(hù)不同規格尺寸的BBO晶體定制); §        優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品售后服務(wù)(快捷的退換貨服務(wù)和產(chǎn)品1年免費保修保證); §        供應大尺寸的BBO晶體(鍍制增透膜AR coating或保護膜P-coating); §        供應BBO晶體超薄片(鍍制增透膜AR coating或保護膜P-coating); §        根據客戶(hù)需要為BBO晶體安裝支架; §        用于電光應用(e/o)的鍍金BBO晶體; §        較有競爭力的價(jià)格及交期 公司不僅能給您提供較高性?xún)r(jià)比的產(chǎn)品,還有專(zhuān)業(yè)的工程師為您提供產(chǎn)品售前售后服務(wù),歡迎隨時(shí)來(lái)電或email垂詢(xún)!   聯(lián)系電話(huà): 聯(lián)系郵箱:sales@coptronics.com info@coptronics.com 公司主頁(yè):www.coptronics.com     描述: BBO晶體(β-BBO,β相偏硼酸鋇晶體,β-BaB2O4 )是具有綜合優(yōu)良性能的非線(xiàn)性光學(xué)晶體,其寬透明范圍和相匹配范圍,大的非線(xiàn)性系數,高的抗光損傷閾值、寬溫度帶寬以及優(yōu)越的光學(xué)均勻性,為各種非線(xiàn)性光學(xué)應用提供了實(shí)際可能性。目前國際上主要用于將800nm左右鈦寶石激光器倍頻至400nm左右紫外光,和一些皮秒飛秒脈沖工業(yè)激光器的倍頻以及OPO系統,電光開(kāi)關(guān)等。   BBO晶體的主要特點(diǎn): 可實(shí)現相位匹配的波段范圍寬(409.6—3500nm); 寬透明范圍(190—3500nm); 倍頻轉換效率高(相當于KDP晶體的6倍); 高損傷域值(100ps脈寬的1064nm  10GW/cm2); 光學(xué)均勻性好(dn10-6); 溫度接收角寬(≈55℃左右); 機械,物理性能好.   BBO晶體的主要應用:   Nd:YAG和Nd:YLF激光的二、三、四、五倍頻; 染料激光器和鈦寶石激光器的二、三倍頻及和頻; 光學(xué)參量放大器(OPA)與光學(xué)參量振蕩器(OPO); 氬離子,紅寶石和Cu蒸汽激光器的倍頻.    化學(xué)和結構特性: 晶格結構  三角晶系, 空間群 R3c 晶格參數 a=b=12.532, c=12.717 , z=6 熔點(diǎn)  約1095℃ 莫氏硬度 4 密度  3.85g/cm3 導熱性 1.2W/m/K(┴c): 1.6w/m/K(//c) 熱膨脹系數  α,4x10-6/K; c,36x10-6/K   光學(xué)以及非線(xiàn)性光學(xué)特性: 透光范圍  190-3500nm 二次諧波可匹配范圍 409.6-3500nm(Type I) 525-3500nm(Type II) 熱透鏡系數(/℃)  dno/dT=-9.3x 10-6/℃ dne/dT=-16.6x 10-6/℃ 吸收系數 <0.1%/cm @ 1064nm <1%/cm @ 532nm 接受角  0.8mrad-cm(θ, Type I,1064 SHG) 1.27mrad-cm (θ, Type II,1064 SHG) 工作溫度 55℃-cm 光譜范圍  1.1nm-cm 走離角 2.7° (Type I 1064 SHG) 3.2° (Type II 1064 SHG) 非線(xiàn)性系數  deff (I)=d31sinθ+(d11cosΦ-22sin3Φ)cosθ deff (II)=(d11sin3Φ+d22cos3Φ)cos2θ 非零非線(xiàn)性磁化系數 d11=5.8xd36(KDP) d31=0.05xd11 d22<0.05xd11 塞耳邁耶爾方程(λ in μm )  no2=2.7359+0.01878 / (λ2-0.01822) -0.01354 λ2 ne2=2.3753+0.01224 / (λ2-0.01667) -0.01516 λ2 電光系數 r11=2.7pm/V, r22, r 31<0.1γ11 半波電壓  48Kv (at 1064nm) 電阻率 >1011 ohm-cm 相關(guān)介電常數  εs11/so:6.7 εs33/εo:8.1 Tan δ<0.001   BBO晶體的產(chǎn)品規格: 尺寸公差 (W±0.1mm) x ( H±0.1mm) x (L+0.2mm/-0.1mm) 角度公差 Δθ< 0.25°, Δφ< 0.25° 平面度 λ/10 @ 633nm 波前畸變 < λ/8 @ 633nm 表面光潔度 10/5 scratch/dig 平行度 < 20 arc seconds 垂直度 < 5 arc minutes 通光孔徑 ≥中心直徑95% 倒邊  x 45°±5°chamfer 鍍膜 R < 0.2% @ 1064nm, R < 0.5% @ 532nm 損傷閾值(AR鍍膜) >0.5 GW/cm2 for 1064nm,TEM00,10ns,10HZ >0.3 GW/cm for 532nm,TEM00,10ns,10HZ 注:武漢中科宇晶光電可接受客戶(hù)不同尺寸規格的BBO晶體定制,也可根據客戶(hù)具體應用需求推薦相應的BBO晶體。    

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