硅片拋光機是深圳市海德準確研磨機器制造有限公司的要點(diǎn)產(chǎn)品之一，單晶硅片在平面拋光機行業(yè)的應用比較常見(jiàn)，一般硅片成品都需要經(jīng)過(guò)平面拋光這一道工序才能應用于市場(chǎng)。但是單晶硅片在拋光過(guò)程中往往會(huì )因為，超薄超脆而遇到一些技術(shù)難點(diǎn)，尤其是大尺寸的硅片。深圳海德是有經(jīng)驗研究硅片拋光機的機構，多年來(lái)一直致力于硅片拋光機的生產(chǎn)和研發(fā)，我司對大尺寸硅片拋光機的制作工藝有著(zhù)非常獨到的見(jiàn)解和比較成熟的技術(shù)。

　　平面拋光機拋光(CMP)是目前可實(shí)現單晶硅片全局平面化的技術(shù),采用該方法可使整個(gè)硅片獲得超光滑和無(wú)損傷的表面。其中,拋光液的質(zhì)量是影響CMP 效果的一個(gè)關(guān)鍵因素。目前,硅片CMP普遍使用粒徑為50~70 nm的球形SiO2為磨粒[3]。作為一種效率高拋光粉,納米CeO2已廣泛應用于超大規模集成電路SiO2介質(zhì)層和隔離溝槽的化學(xué)機械拋光,具有高拋光效率和高表面質(zhì)量等優(yōu)點(diǎn)[4]。有研究表明,將球型納米CeO2用于單晶硅片的化學(xué)機械拋光時(shí),其拋光效率比球形SiO2高。不過(guò),納米CeO2拋光硅片的研究還處在初始階段,拋光液制備技術(shù)及相關(guān)拋光機理有待進(jìn)一步完善。我國稀土鈰資源居世界重要地位,如能開(kāi)發(fā)出適于硅片拋光的納米CeO2拋光液,將會(huì )促進(jìn)硅片超準確加工技術(shù)的發(fā)展,社會(huì )經(jīng)濟效益可觀(guān)。

　　由此可見(jiàn)稀土拋光粉在單晶硅片的拋光過(guò)程中有著(zhù)重要的作用，對單晶硅片的平面拋光機市場(chǎng)也有著(zhù)相當大的影響。單晶硅片的平面拋光機技術(shù)在行業(yè)內的應用前景非常大，發(fā)展還有很大空間。

　　海德公司硅片拋光機工作原理：

　　本系列硅片拋光機由四個(gè)吸附盤(pán)吸附硅片與拋光盤(pán)做逆時(shí)針旋轉來(lái)達到拋光的目的。

硅片拋光機特點(diǎn)：

　　1.本系列拋光機的吸附盤(pán)由四臺單獨的電機驅動(dòng)、速度與壓力可調。

　　2.控制系統中采用PLC彩色終端等先進(jìn)技術(shù)，系統的響應速度更快、更準確，并具有遠程監控，遠程維護的功能;