磁控濺射技術(shù)由于其顯著(zhù)的優(yōu)點(diǎn)成為工業(yè)鍍膜主要技術(shù)之一，改進(jìn)靶的設計進(jìn)一步提高靶材利用率及鍍膜均勻性，降低鍍膜成本也是現在鍍膜技術(shù)亟須解決的關(guān)鍵問(wèn)題之一，多年來(lái)一直被靶材研究人員關(guān)注。與德國、日本等世界靶材強國相比，我國磁控濺射靶材研究相對落后，但是近年來(lái)，隨著(zhù)大部分國家光電產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國內大型靶材公司加大投入，取得了很大的成果。

　　從磁控濺射鍍膜技術(shù)誕生以來(lái)，人們主要關(guān)注磁控濺射的問(wèn)題是：靶材的利用率、沉積效率、薄膜均勻性、鍍膜過(guò)程中的穩定性以及滿(mǎn)足各種復雜的鍍膜要求等問(wèn)題。對于大多數磁控鍍膜設備特別是平面磁控濺射靶，由于正交電磁場(chǎng)對濺射離子的作用關(guān)系，將其約束在閉合磁力線(xiàn)中，使得濺射靶材在濺射中產(chǎn)生不均勻沖蝕現象，一旦靶材刻蝕穿，靶材即報廢，進(jìn)而造成靶材的利用率一直較低，一般是30%以下。靶材是磁控濺射過(guò)程中的基本耗材，不僅使用量大，而且靶材利用率的高低對工藝過(guò)程及生產(chǎn)周期起著(zhù)至關(guān)重要的作用，雖然目前靶材可以回收再利用，但是其仍然對企業(yè)成本控制上以及提高企業(yè)產(chǎn)品競爭力有很大的影響。因此想方設法提高靶材利用率是必然的。對此國內外很多廠(chǎng)商也做出了很多改進(jìn)的措施。

　　當前，當前提高磁控陰較靶材利用率的原理主要基于改變靶面閉合磁場(chǎng)位形，方法上大致分為靜態(tài)方法和動(dòng)態(tài)方法。靜態(tài)法與動(dòng)態(tài)法均有其優(yōu)點(diǎn)及缺點(diǎn)，靜態(tài)法對磁鋼的位形有著(zhù)較高的要求而且磁鋼位形的改變而造成的磁場(chǎng)的改變對靶材利用率的影響需要大量的進(jìn)行模擬及實(shí)驗，但是一旦成功后即可獲得顯著(zhù)的效果；動(dòng)態(tài)法就是動(dòng)態(tài)的變換靶面磁場(chǎng)的分布，進(jìn)而改變靶面等離子體刻蝕區域，拓寬靶材的刻蝕區域，提高靶材的利用率以及鍍膜的均勻性，但是這種方法較大的增加了磁控陰較的結構以及制造組裝的復雜性。

　　平面轉管狀：多年來(lái)，鍍膜設備主要使用平面陰較，要求平面靶材與之配套。雖然人們通過(guò)設計移動(dòng)磁場(chǎng)等方式來(lái)提高平面靶材的利用率，但目前，平面靶材的利用率較高也只能達到40%左右。為了進(jìn)一步提高靶材利用率，人們設計了使用效率更高的旋轉陰較，用管狀的靶材進(jìn)行濺射鍍膜。濺射設備的改進(jìn)要求靶材從平面形狀改變?yōu)楣軤睿軤钚D靶材的利用率可以高達80%以上。

　　近年來(lái)，國內大型靶材供應商加大了對磁控濺射靶材的研發(fā)力度，廣州、深圳等地的靶材供應商，已可以量產(chǎn)出高品質(zhì)、高利用率的磁控靶材，相信在不久的將來(lái)，這些的靶材供應商將會(huì )對國外靶材強國發(fā)起一波強而有力的沖擊。