一般會(huì )由金膜或銀膜替代。光碟的膜層也是多層組成的，它在染料層上鍍上30nm厚的鐵鈷合金記錄層，里面混有非晶態(tài)稀土過(guò)渡元素，再鍍上20到100nm厚的氮化硅介質(zhì)層，后鍍上鋁膜反射層。這些需要落得磁性能，能夠記錄數據的電子產(chǎn)品，要實(shí)現這些功能，還是要靠各種不同物質(zhì)所濺射而成的薄膜，靠其成膜后顯示出來(lái)的晶體狀態(tài)排序來(lái)實(shí)現。n量：66什么是磁控濺射鍍膜靶材？磁控濺射鍍膜是一種新型的物相鍍膜方式,就是用電子系統把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉換原理以較高的動(dòng)能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。濺射靶材有金屬，合金，陶瓷，硼化物等。濺射靶材主要應用于電子及信息產(chǎn)業(yè)。高純金屬靶材。 ITO靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展現狀及其對我國觸控面板產(chǎn)業(yè)的影響。氧化銦錫(IndiumTinOde)，作為一種n型半導體材料，光透過(guò)率、高的機械硬度和良好的化學(xué)穩定性，太陽(yáng)能電池以及其他電子儀表的透明電極上廣泛應用。高等ITO靶材材料和技術(shù)仍依賴(lài)***，受到國際市場(chǎng)影響。這些企業(yè)在掌握濺射靶材生產(chǎn)的核心技術(shù)以后，實(shí)施極其嚴格的保密措施。結果表明:***靶材晶內小顆粒傾向于聚集、合并,表現為以60～90nm小顆粒聚集而成的200nm以上的團簇,而其他靶材小顆粒單獨性更強;腐蝕后產(chǎn)物為近等軸狀的第二相In4Sn3O12或近等軸狀與片狀的In4Sn3O12和In2SnO5混合體;各靶材試樣的腐蝕量均達到了90%左右,***靶材試樣腐蝕后的第二相余量更多,且加熱后第二相粉末出現了1.3～1.5%的增氧,而其他靶材的增氧率均在1%以下;計算發(fā)現,***靶材的Sn和O含量均略低于國產(chǎn)靶材。由MOCVD系統生成的材料體系。