鋁靶、銅靶用于導電層薄膜。在半導體芯片制造的金屬化工藝過(guò)程中，氧化鎢薄膜是一種被廣泛研究的功能材料。芯片行業(yè)擁有一條超長(cháng)的產(chǎn)業(yè)鏈。其整體可分為設計、制造、封裝、四大環(huán)節。除了在設計領(lǐng)域，華為海思擁有一定的打破能力，其他三個(gè)環(huán)節，尤其是在制造環(huán)節，國內廠(chǎng)商的能力仍有較大的提升空間。盡管全世界各大廠(chǎng)生產(chǎn)的材料幾乎都能99.99%的純度，但卻唯有日本廠(chǎng)商的材料能將純度達到99.999%。半導體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料，化學(xué)品、電子氣體、P拋光材料、以及靶材等；芯片封裝材料包括封裝基板（39%）、引線(xiàn)框架、樹(shù)脂、鍵合絲、錫球、以及電鍍液等。磷化銦靶材(InP)，鉛靶材(PbAs)，銦靶材(InAs)。噴涂靶材。       新型的濺鍍設備幾乎都使用力度強磁鐵將電子成螺旋狀運動(dòng)以加速靶材周?chē)臍鍤怆x子化，造成靶與氬氣離子間的撞擊機率增加，提高濺鍍速率。一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍，而不導電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍，基本的原理是在真空中利用輝光放電（glow discharge）將氬氣（Ar）離子撞擊靶材（target）表面，電漿中的陽(yáng)離子會(huì )加速沖向作為被濺鍍材的負電極表面，這個(gè)沖擊將使靶材的物質(zhì)飛出而沉積。       陽(yáng)極消失：靶中毒時(shí)，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達陽(yáng)極的電子無(wú)法進(jìn)入陽(yáng)極，形成陽(yáng)極消失現象。靶中毒的物理解釋?zhuān)?）一般情況下，金屬化合物的二次電子發(fā)射系數比金屬的高，靶中毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數量增加，提高了空間的導通能力磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設備原理簡(jiǎn)單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛。近年來(lái)，受益于國家從戰略高度持續持電子材料行業(yè)的發(fā)展及應用推廣，我國國內開(kāi)始出現不少專(zhuān)業(yè)從事高純?yōu)R射靶材研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)，并成功開(kāi)發(fā)出一批能適應高等應用領(lǐng)域的濺射靶材，為高純?yōu)R射靶材大規模產(chǎn)業(yè)化提供了良好的研發(fā)基礎和市場(chǎng)化條件。       太陽(yáng)能電池用鋁靶的金屬純度略低，99.995%（4N5）以上。高純貨品靶材被譽(yù)為半導體芯片材料的強者，半導體產(chǎn)業(yè)對濺射靶材和濺射薄膜的品質(zhì)要求非常高，隨著(zhù)更大尺寸的硅晶圓片制造出來(lái)，相應地要求濺射靶材也朝著(zhù)大尺寸、高純度的方向發(fā)展，同時(shí)也對濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。高純貨品靶材在電子信息產(chǎn)業(yè)中的應用廣泛，因貨品有良好的化學(xué)穩定性，高電導率、熱導率，以及特有的電學(xué)、磁學(xué)、光學(xué)等性能。什么是靶中毒現象(1)正離子堆積：靶中毒時(shí)，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達陰極靶面時(shí)由于絕緣層的阻擋，不能直接進(jìn)入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場(chǎng)致弧光放電---打弧，使陰極濺射無(wú)法進(jìn)行下去。       而且附著(zhù)力很強，清洗環(huán)節很難清除掉，這就造成膜層與基片的結合力大大降低，從而導致脫膜。水質(zhì)的好壞對于鍍膜是至關(guān)重要的。去離子水純度應控制在電阻率10M歐姆以上。若低于該值，則應對陰陽(yáng)離子交換樹(shù)脂進(jìn)行更新，否則，會(huì )因水質(zhì)不純導致原片清洗不凈而脫膜。連接水處理設備和清洗機水箱的管道應定期吹掃清洗。因為管道中若殘留不流動(dòng)的水久了，會(huì )滋生細菌、藻類(lèi)，在使用時(shí)會(huì )帶到水箱里，使清洗水本身旅游活動(dòng)過(guò)關(guān)，造成鍍膜不牢。清洗刷使用一段后，上面會(huì )殘留一些污物。靶材是高速荷能粒子轟擊的目標材料，故靶材也叫濺射靶材（純度：99.9%-99.999%），具有較高的技術(shù)壁壘。銀是目前使用廣泛的導電層薄膜材料之一。和超大規模集成電路芯片的制造對濺射靶材金屬純度的要求相比。       WSTS（大部分國家半導體貿易統計籌備）數據顯示，濺射靶材主要應用在平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導體等領(lǐng)域。其中，在濺射靶材應用領(lǐng)域中，半導體芯片對濺射靶材的金屬材料純度、內部微觀(guān)結構等方面都設定了極其苛刻的標準，需要掌握生產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)并經(jīng)過(guò)長(cháng)期實(shí)踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品。因此，半導體芯片對濺射靶材的要求是較高的，價(jià)格也較為昂貴。靶材產(chǎn)業(yè)鏈：濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈基本呈金字塔型分布。產(chǎn)業(yè)鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用等環(huán)節。磁控膜玻璃出現脫膜現象幾大原因：原片存放因素，玻璃表面越新鮮，表面活性越大，與膜層的結合力越強，反之則差。使用存放期過(guò)長(cháng)的玻璃，由于玻璃表面霉變和附著(zhù)的污物會(huì )大量增加。