透明導電氧化物（ＴＣＯ）薄膜因其導電性和透光性兼顧的特性，被廣泛應用于光學(xué)、電子、信息等技術(shù)領(lǐng)域。結果表明：成型壓力對 ＧＺＯ 靶材燒結時(shí)生成ＺｎＧａ２Ｏ４ 的固相反應有促進(jìn)作用，并且當成型壓力由１２０ＭＰａ提高到２００ＭＰａ時(shí)，固相反應生成更多的 Ｚｎ－Ｇａ ２ Ｏ ４ 尖晶石相導致 ＧＺＯ陶瓷燒結致密所需的溫度也有所提高．成型壓力為２００ＭＰａ時(shí)較高致密度靶材，相對密度達93.54 ％ＴＤ。       在工業(yè)生產(chǎn)中 ＴＣＯ薄膜制備的方式主要是磁控濺射法，其中靶材是濺射鍍膜過(guò)程中重要的基礎原材料．有關(guān)ＺｎＯ陶瓷靶材的研究報道以 Ａｌ摻雜 ＺｎＯ（ ＡＺＯ ）和 Ｇａ摻雜 ＺｎＯ（ＧＺＯ ）居多．由于 Ｇａ與Ｚｎ的離子半徑更接近 ，摻雜后引起的晶格畸變小，因此ＧＺＯ薄膜在性能上具有一定的優(yōu)勢．靶材是濺射鍍膜過(guò)程中重要的基礎原材料．對TCO薄膜的品質(zhì)有很大的影響，相關(guān)人士建議，購買(mǎi)高致密度靶材，選擇尤特新材料。       在1350℃時(shí),表面形貌上靶材表面晶粒間結合的致密。從斷面形貌看,氣孔較少,主要存在晶粒交界處,氣孔圓化,基本上達到了陶瓷靶材的燒結終點(diǎn)。當選取Al粉作為摻雜時(shí),溫度系列可以看出,在1050℃晶粒尺寸大,同時(shí)得到的電阻率相對較低。科技日報：ITO靶材屬于35項卡脖子技術(shù)之一。UVTM掌握濺射靶材生產(chǎn)的核心技術(shù)以后，實(shí)施極其嚴格的保密措施，限制技術(shù)擴散，同時(shí)不斷進(jìn)行橫向擴張和垂直整合，將業(yè)務(wù)觸角積極擴展到濺射鍍膜的各個(gè)應用領(lǐng)域。研制出適用不同應用領(lǐng)域的濺射靶材產(chǎn)品，才能在大部分國家濺射靶材市場(chǎng)中占得一席之地。UVTM自主創(chuàng )新開(kāi)發(fā)的能力，TFT-LCD用高品質(zhì)ITO靶材，正式投入量產(chǎn)。自此，靶材的國外技術(shù)壁壘。       目前，大部分國家的靶材制造行業(yè)，特別是高純度的靶材市場(chǎng)，呈現寡頭壟斷格局，主要由幾家美日大企業(yè)把持，如日本的三井礦業(yè)、日礦金屬、日本東曹、住友化學(xué)、日本愛(ài)發(fā)科，以及美國霍尼韋爾、普萊克斯等。日礦金屬是大部分國家大的靶材供應商，靶材銷(xiāo)售額約占大部分國家市場(chǎng)的30%，霍尼韋爾在并購JohnsonMattey、整合高純鋁、鈦等原材料生產(chǎn)廠(chǎng)后，占到大部分國家市約20%的份額，此外，東曹和普萊克斯分別占20%和10%。氧化鋅是一種透明導電膜材料。以ZnO粉末和Al_2O_3粉末為主要原料,以常壓、空氣氣氛燒結為手段制備透明導電膜用ZnO陶瓷靶材。研究結果表明:粉末成型壓力為3MP時(shí),靶材電學(xué)性能佳;當Al:Zn原子比為4.100時(shí),ZnO的電阻率低,達4.1×10~(-3)Ω·㎝,當Al摻雜量超過(guò)某一數值后,Al不再以替位離子形式存在,而是與周?chē)腪n、O原子共同作用,生成鋅鋁尖晶石相,從而導致材料的電阻率升高。       以靶材材質(zhì)及尺寸多弧源（Ф60，Ф80直徑靶材，氣動(dòng)、電動(dòng)的引弧等），真空測量可選擇數字式智能真空計及其優(yōu)質(zhì)的測量規管，及其它測量?jì)x器，如自動(dòng)壓強控制儀等。膜厚測量可選用方塊電阻測量?jì)x，透過(guò)率計等。充氣方式可選用質(zhì)量流量計、浮子流量計 針閥及相應的充氣閥門(mén)，并可選擇多路充氣管路及相應流量參數。根據需烘烤的結構提出烘烤溫度、材質(zhì)以及所需配備相應儀表測量。根據設備使用特點(diǎn)。可選擇手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)或其組合的控制方式。完善的報警系統，對真空室體、擴散泵斷相、缺水、氣壓、電源負載的過(guò)壓、過(guò)流等異常情況進(jìn)行聲光報警。 磁記錄和薄膜光伏電池純度通常是99.99%（4N）。預計到2023年，大部分國家和國內半導體對靶材的需求將分別上升至86.3億、21億元。國內半導體靶材需求占比將從2018年的16%上升至2023年的24%。“2019年度中國濺射靶材品牌評選”是由品牌排行網(wǎng)主辦的范圍廣、規模大的品牌綜合實(shí)力排名評選活動(dòng)。經(jīng)過(guò)多審核精選，尤特新材料（UVTM）被評為行業(yè)品質(zhì)出眾、旺的品牌。HIT電池主要使用ITO靶材作為其透明導電薄膜。HIT電池是在晶體硅上沉積非晶硅薄膜，其結構是以N型單晶硅片作襯底，正反面依次沉積本征非晶硅薄膜、摻雜非晶硅薄膜、金屬氧化物導電層TCO，再通過(guò)絲網(wǎng)印刷制作正負電極，從而導出電流。     根據中國濺射靶材行業(yè)市場(chǎng)數據顯示：靶材在半導體材料中占比約為2.5-3%。由于半導體濺射靶材市場(chǎng)與晶圓產(chǎn)量存在直接關(guān)系，以中國大陸晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能占比例為15%計算，2019年中國半導體濺射靶材市場(chǎng)約1.7億美元。隨著(zhù)晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能向中國轉移，半導體用靶材市場(chǎng)將達到1.5億美元。同比增長(cháng)25%。國內的PVD鍍膜市場(chǎng)上有自己的成熟技術(shù)，在濺射鍍膜和濺射靶材生產(chǎn)有獨特的生產(chǎn)工藝，在PVD鍍膜技術(shù)也有成熟的技術(shù)生產(chǎn)。靶中毒現象是怎么回事?為了獲得理想的薄膜，應要求靶材在幾何尺寸和形狀上非常均勻，有時(shí)為了使用方便還需將靶材與靶托進(jìn)行Bonding。　　     氧化銦錫與其它透明的半導體導電薄膜相比，ITO具有良好的化學(xué)穩定性和熱穩定性。對襯底具有良好的附著(zhù)性和圖形加工特性。ITO為一種N型氧化物半導體，作為納米銦錫金屬氧化物，具有很好的導電性和透明性，可以切斷對人體有害的電子輻射，紫外線(xiàn)及遠紅外線(xiàn)。因此，噴涂在玻璃，塑料及電子顯示屏上后，在增強導電性和透明性的同時(shí)切斷對人體有害的電子輻射及紫外、紅外。隨著(zhù)國外持續蔓延，作為半導體產(chǎn)業(yè)中心的日韓和日子都不好過(guò)。據信息公司FnGuide的估算，韓國半導體行業(yè)在所有行業(yè)中降幅達到66.5%。大多數半導體企業(yè)一季度利潤都大幅下滑，SK海力士利潤同比減少66.5%；LG化學(xué)由于位于密歇根州的工廠(chǎng)被封鎖。      靶材應用行業(yè)分類(lèi):1.裝飾、工模具鍍膜行業(yè)靶材鉻靶（Cr），平面鉻靶，噴涂鉻管,鉻硅靶(電弧，平面靶，旋轉管靶）,鈦鋁靶（電弧，平面靶，旋轉管靶）,鈦鋁硅靶1:1:1at%,1:2:1at%(電弧，平面靶，旋轉管靶）,鈦靶，鈦管靶，鋯靶,金靶，玫瑰金靶,石墨靶，鎳靶，鋁靶，不銹鋼靶等。2 太陽(yáng)能光伏光熱行業(yè)靶材:氧化鋅鋁靶ZAO,硅靶；鈦靶、氧化鈦靶,鋁靶；鉻靶、鎳鉻；鋅鋁、鎢、鉬靶等;3 建筑汽車(chē)玻璃大面積鍍膜,硅鋁靶、旋轉硅鋁靶；氧化鈦靶；錫靶；鉻靶；硅靶；鈦靶、不銹鋼靶;平面顯示行業(yè):ITO 靶,二氧化硅靶,高純硅靶5-7N,高純鉻靶3N5,TFT 鉬靶,鉬鈮靶,鎢鈦靶,高純鋁靶等;5 光學(xué)，光通信，光存儲行業(yè):銀靶,鉭靶,硫化鋅靶,高純鋁靶,硅靶。