作為一個(gè)龐大且復雜的行業(yè)，芯片行業(yè)擁有一條超長(cháng)的產(chǎn)業(yè)鏈。其整體可分為設計、制造、封裝、四大環(huán)節。除了在設計領(lǐng)域，其他三個(gè)環(huán)節，尤其是在制造環(huán)節，國內廠(chǎng)商的能力仍有較大的提升空間。高純貨品靶材被譽(yù)為半導體芯片材料的強者，半導體產(chǎn)業(yè)對濺射靶材和濺射薄膜的品質(zhì)要求非常高，隨著(zhù)更大尺寸的硅晶圓片制造出來(lái)，相應地要求濺射靶材也朝著(zhù)大尺寸、高純度的方向發(fā)展，同時(shí)也對濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。高純貨品靶材在電子信息產(chǎn)業(yè)中的應用廣泛，因貨品有良好的化學(xué)穩定性，高電導率、熱導率，以及特有的電學(xué)、磁學(xué)、光學(xué)等性能。MOCVD系統主要用于芯片表面的薄膜單晶層沉積，也常用于器件的三五族化合物半導體材料沉積。       在所有應用產(chǎn)業(yè)中，半導體產(chǎn)業(yè)對靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是很苛刻的。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀(guān)結構。靶材另一個(gè)應用領(lǐng)域是平面顯示器（FPD)這些年來(lái)大幅沖擊以陰極射線(xiàn)管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機市場(chǎng)，亦將帶動(dòng)ITO靶材的技術(shù)與市場(chǎng)需求。如今的ITO靶材有兩種．一種是采用納米狀態(tài)的氧化銦和氧化錫粉混合后燒結，一種是采用銦錫合金靶材。濺射靶材在儲存技術(shù)方面，高密度、大容量硬盤(pán)的發(fā)展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多層復合膜是如今應用廣泛的巨磁阻薄膜結構。磁光盤(pán)需要的TbFeCo合金靶材還在進(jìn)一步發(fā)展。用它制造的磁光盤(pán)具有存儲容量大。壽命長(cháng)，可反復無(wú)接觸擦寫(xiě)的特點(diǎn)。