UVTM是國家高新技術(shù)企業(yè)，公司成立于二00三年，專(zhuān)業(yè)從事信息、鍍膜、太陽(yáng)能材料的科研與生產(chǎn)。公司從德國、日本、引進(jìn)先進(jìn)的生產(chǎn)、檢測設備和專(zhuān)業(yè)人才，是集科研、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、服務(wù)于一體的中外合資企業(yè)。UVTM廣州工廠(chǎng)建成于2006年，位于花都區華僑科技工業(yè)園，占地面積近3萬(wàn)平方米，建筑面積239平方米,地理近臨廣州國際白云機場(chǎng)，交地便利。磁控濺射技術(shù)是70年展起來(lái)的一種新型濺射技術(shù)，目前已在科研和生產(chǎn)中實(shí)際應用．磁控濺射鍍膜主要用于電子工業(yè)、磁性材料及記錄介質(zhì)、光學(xué)及光導通訊等，具有高速、低溫、低損傷等優(yōu)點(diǎn)．高速是指沉積速率快；自20世紀90年代以來(lái)，隨著(zhù)消費電子等終端應用市場(chǎng)的飛速發(fā)展，高純?yōu)R射靶材的市場(chǎng)規模日益擴大，呈現高速增長(cháng)的勢頭。據統計，2016年世界高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)的年銷(xiāo)售額約113.6億美元。其中，平板顯示用靶材（含觸摸屏）年市場(chǎng)銷(xiāo)售額38.1億美元，占比34%；記錄媒體用靶材年市場(chǎng)銷(xiāo)售額為33.5億美元，占比29%；太陽(yáng)能電池用靶材市場(chǎng)銷(xiāo)售額23.4億美元，占比21%；半導體用靶材年銷(xiāo)售額11.9億美元，占比10%。       尤特新材成立于2003年，是一家致力于新材料研發(fā)和應用的國家高新技術(shù)企業(yè)。坐落在美麗的花城之都-廣州市花都區，東鄰廣州白云國際機場(chǎng)，西靠廣州北火車(chē)站，占地面積3萬(wàn)多平方米。主營(yíng)業(yè)務(wù):真空鍍膜、光電信息等新材料研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、服務(wù)。主要產(chǎn)品：磁控濺射靶材，分為陶瓷靶材、金屬靶材、合金靶材。應用領(lǐng)域：應用于平面顯示工業(yè)、薄膜太陽(yáng)能工業(yè)、半導體鍍膜工業(yè)、建筑/汽車(chē)玻璃工業(yè)和裝飾/功能鍍膜工業(yè)。ITO靶材具有較高的技術(shù)與客戶(hù)壁壘導致日美跨國公司形成壟斷優(yōu)勢，行業(yè)集中度高，且產(chǎn)業(yè)格長(cháng)期維持在相對穩定的狀態(tài)。一方面濺射鍍膜工藝起源于國外，對所需濺射靶材的性能要求高、專(zhuān)業(yè)性強，屬于技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，新進(jìn)入者無(wú)論在技術(shù)、設備、人才等各方面均需要大規模投入；濺射。       通過(guò)抽真空、封口可以進(jìn)一步防止污染以及損壞靶材。具體地，緩沖塊優(yōu)選設置為泡沫塊，便于起到緩沖作用，防止靶材損壞。將ITO靶材沉積到PET基板上，就形成ITO導電薄膜；將ITO靶材沉積到玻璃基板上，就形成ITO導電玻璃基板。如果將大塊的ITO導電基板應用于各種不同尺寸的電子產(chǎn)品上，對其切割是必要的一個(gè)過(guò)程，電子產(chǎn)品上所須得薄膜都需要精細加工,也即邊緣必須保持光滑不磨手、大小尺寸適中等,所以傳統的剪裁加工注定跟不上時(shí)代節奏步伐,這時(shí)的激光切割就顯得特別重要。電阻式觸摸屏。在液晶顯示器和觸摸屏領(lǐng)域，由于對顯示效果和傳感響應很高的要求，ITO主要了現有液晶顯示器和觸摸屏的透明電極，特別是在觸摸屏領(lǐng)域。液晶顯示器主要使用ITO導電玻璃。液晶顯示器之所以能顯示特定的圖形，主要是將導電玻璃上的透明電極蝕刻制成特定形狀的電極。靶賣(mài)。       上海和廣州是全國經(jīng)濟中心城市，是國際的港口城市，也是長(cháng)三角的****城市。這里人才匯集、資源匯聚，對于長(cháng)三角乃至于全國的發(fā)展都有重要的帶領(lǐng)和示范作用。由于半導體濺射靶材市場(chǎng)與晶圓產(chǎn)量存在直接關(guān)系，以中國大陸晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能占大部分國家比例為15%計算。2018年中國半導體濺射靶材市場(chǎng)約1.2億美元，隨著(zhù)晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能向中國轉移，半導體用靶材市場(chǎng)將達到1.5億美元。同比增長(cháng)25%。日本日礦金屬、東曹公司，美國霍尼韋爾、普萊克斯公司。濺射靶材是用濺射法沉積薄膜的原材料，主要應用于面板顯示、半導體和磁記錄薄膜太陽(yáng)能領(lǐng)域。特別是高純度濺射靶材應用于電子元器件制造的氣相沉積工藝，是制備晶圓、面板、太陽(yáng)能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。 一般采用Z r O2、B i 2 O 3、C e O等作為燒結添加劑，能夠獲得密度為理論值的9 3 %~9 8 %的靶材，這種方式形成的I T O薄膜的性能與添加劑的關(guān)系較大。日本的科學(xué)家采用B i z o作為添加劑，B i 2 O3在8 2 0 C r熔化，在l 5 0 0℃的燒結溫度超出部分已經(jīng)揮發(fā)，這樣能夠在液相燒結條件下得到比較純的I T O靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是納米顆粒，這樣可以簡(jiǎn)化前期的工序。采川這樣的靶材得到的I T O薄膜的屯阻率達到8．1×1 0 n- c m，接近純的I T O薄膜的電阻率。F P D和導電玻璃的尺寸都相當火，導電玻璃的寬度甚至可以達到3 1 3 3 _，為了提高靶材的利用率，開(kāi)發(fā)了不同形狀的I T O靶材，如圓柱形等。2 0 0 0年，國家發(fā)展計劃委員會(huì )、科學(xué)技術(shù)部在《當前優(yōu)先發(fā)展的信息產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)領(lǐng)域指南》中，I T O大型靶材也列入其中。錫靶。 什么是靶中毒現象(1)正離子堆積：靶中毒時(shí)，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達陰極靶面時(shí)由于絕緣層的阻擋，不能直接進(jìn)入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場(chǎng)致弧光放電---打弧，使陰極濺射無(wú)法進(jìn)行下去。、（2）陽(yáng)極消失：靶中毒時(shí)，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達陽(yáng)極的電子無(wú)法進(jìn)入陽(yáng)極，形成陽(yáng)極消失現象。靶中毒的物理解釋?zhuān)?）一般情況下，金屬化合物的二次電子發(fā)射系數比金屬的高，靶中毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數量增加，提高了空間的導通能力磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設備原理簡(jiǎn)單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛。     銦作為稀散金屬在地殼中含量極低,但資源儲量和產(chǎn)量分布極為集中。銦在戰略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展中具有極為重要的作用,是平板顯示、電子半導體和光伏等產(chǎn)業(yè)不可或缺的原料,使其成為世界各國關(guān)注的熱點(diǎn)。顯示行業(yè)主要在顯示面板和觸控屏面板兩個(gè)產(chǎn)品生產(chǎn)環(huán)節需要使用靶材濺射鍍膜。用于高清電視、筆記本電腦等。平板顯示靶材技術(shù)要求也很高，它要求材料高純度、面積大、均勻性程度高。半導體晶圓制造中，200mm（8寸）及以下晶圓制造通常以鋁制程為主，使用的靶材以鋁、鈦元素為主。300mm（12寸）晶圓制造，多使用先進(jìn)的銅互連技術(shù)，主要使用銅、鉭靶材。同時(shí)也用鈦材料作為高介電常數的介質(zhì)金屬柵極技術(shù)的主要材料，鋁材料作為晶圓接合焊盤(pán)工藝的主要材料。       靶材成本居高不下，是異質(zhì)結電池產(chǎn)業(yè)化過(guò)程中的一個(gè)大阻礙。靶材是高速荷能粒子轟擊的目標材料，故靶材也叫濺射靶材（純度：99.9%-99.999%），具有較高的技術(shù)壁壘。高純鋁及鋁合金是目前使用廣泛的導電層薄膜材料之一。和超大規模集成電路芯片的制造對濺射靶材金屬純度的要求相比，太陽(yáng)能電池用鋁靶的金屬純度略低，99.995%（4N5）以上。與國際企業(yè)生產(chǎn)的濺射靶材相比，我國濺射靶材研發(fā)生產(chǎn)技術(shù)還存在一定差距，市場(chǎng)影響力相對有限，尤其在半導體芯片、平板顯示器、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域，高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)依然被美國、日本的濺射靶材生產(chǎn)廠(chǎng)商所控制或壟斷。隨著(zhù)濺射靶材朝著(zhù)更高純度、更大尺寸的方向發(fā)展。我國濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)只有不斷進(jìn)行研發(fā)創(chuàng )新。al。       金屬鈧靶材Sc，貨品銀靶材Ag，金屬硅靶材Si，難熔金屬鉭靶材Ta，稀土金屬銩靶材Tm，金屬錫靶材Sn，金屬鈦靶材Ti，難熔金屬鎢靶材W，金屬釩靶材V，稀土金屬鐿靶材Yb，稀土金屬釔靶材Y，靶材Zr，金屬鋅靶材Zn，鋨靶材Os，銠靶材Rh，在半導體濺射靶材方面，國內與國際差距主要在濺射靶材上游材料（非常高純原材料方面）與服務(wù)于集成電路先進(jìn)制程的新產(chǎn)品。濺射鍍膜技術(shù)起源于國外，所需要的濺射材料——靶材也起源發(fā)展于國外。國外靶材公司，在靶材研發(fā)生產(chǎn)方面已有幾十年的積淀。同時(shí)，隨著(zhù)半導體工業(yè)技術(shù)創(chuàng )新的不斷深化，以美國、日本和德國為代表的半導體廠(chǎng)商加強對上游原材料的創(chuàng )新力度，從而更大限度地保證半導體產(chǎn)品的技術(shù)先進(jìn)性。