靶材的分類(lèi)方法很多，按材質(zhì)、按形狀、按應用領(lǐng)域。按形狀可分為長(cháng)靶、方靶、圓靶。按材質(zhì)可分為金屬靶材（純金屬鋁、鈦、銅、鉭等）、合金靶材（鎳鉻合金、鎳鈷合金等）、陶瓷化合物靶材（氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等）。按應用領(lǐng)域靶材可分為半導體芯片靶材、平板顯示靶材、太陽(yáng)能電池靶材、信息存儲靶材、工具改性靶材、電子器件靶材、其他靶材。稀土領(lǐng)域，UVTM是全國范圍內稀土技術(shù)能力比較一體的后起之秀。尤特新材具備從稀土選礦、稀土分離，稀土金屬制備的全流程原創(chuàng )技術(shù)。現在大部分國家范圍內70%的稀土選冶都源于我們的技術(shù)。目前尤特新材是大部分國家能生產(chǎn)多種非常高純稀土金屬的企業(yè)。我們的稀土發(fā)光材料、稀土磁性材料技術(shù)也具備國內****水平。「中國芯」們正面臨著(zhù)嚴峻的半導體之殤。中國的半導體行業(yè)正處于成長(cháng)關(guān)鍵期。****。       AluminumZincOde)等，純度要求一般在99.99%以上，其中，鋁靶、銅靶用于導電層薄膜。2017年公司濺射靶材、蒸鍍材料、其他產(chǎn)品的營(yíng)收占比分別為78.36%、18.4%、3.24%。公司營(yíng)業(yè)收入逐年增長(cháng)，毛利率和凈利率保持高位，盈利能力穩健提升。年，公司營(yíng)業(yè)收入分別為0.83億元、1.24億元、1.75億元、2.36億元，年均復合增長(cháng)率為41.86%。2017年1-9月，毛利率均超過(guò)35%，凈利率20%左右，較高的毛利率凈利率體現了公司產(chǎn)品的技術(shù)含量的市場(chǎng)競爭力，同時(shí)表明了公司產(chǎn)品具有較強的盈利能力，有利于公司未來(lái)的可持續發(fā)展。特別是ITO靶材市場(chǎng)發(fā)展緩慢，致使中國銦大量出口。       UVTM主要產(chǎn)品為各種高純?yōu)R射靶材，包括鋁靶、鈦靶、鉭靶、鎢鈦靶等，這些產(chǎn)品主要應用于超大規模集成電路芯片、液晶面板、薄膜太陽(yáng)能電池制造的物相沉積(PVD)工藝，用于制備電子薄膜材料。目前，公司產(chǎn)品主要應用于半導體、平板顯示器及太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域。在超大規模集成電路用高純金屬靶材領(lǐng)域，公司成功打破美國、日本跨國公司的壟斷格局，填補了國內電子材料行業(yè)的空白。公司已經(jīng)逐步建立了高品質(zhì)、高純度濺射靶材專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)商的良好品牌形象。靶材。濺射工藝屬于物相沉積(PVD)技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一。在電子信息產(chǎn)業(yè)的中，金屬薄膜的制備十分重要。濺射工藝利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中加速聚集成高速離子流。 濺射靶材的分類(lèi)金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材，氮化物陶瓷濺射靶材，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材，硅化物陶瓷濺射靶材，硫化物陶瓷濺射靶材，碲化物陶瓷濺射靶材，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化銦靶材(InP)。金屬靶材：鎳靶、Ni、鈦靶、T濺射靶材i、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、濺射靶材不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等。靶商。       并成功進(jìn)入到國外集成電路企業(yè)的供應鏈。朝純靶材。中國芯片究竟在哪個(gè)環(huán)節被美國“卡”了脖子？數據表明，2019年，我國芯片自給率僅為30%左右。根據有關(guān)部門(mén)的發(fā)展規劃，2025年，中國預計將芯片自給率提升到70%，這差不多是當下美國等芯片大國的平均水平。作為一個(gè)龐大且復雜的行業(yè)，芯片行業(yè)擁有一條超長(cháng)的產(chǎn)業(yè)鏈。其整體可分為設計、制造、封裝、四大環(huán)節。除了在設計領(lǐng)域，其他三個(gè)環(huán)節，尤其是在制造環(huán)節，國內廠(chǎng)商的能力仍有較大的提升空間。高純貨品靶材被譽(yù)為半導體芯片材料的強者，半導體產(chǎn)業(yè)對濺射靶材和濺射薄膜的品質(zhì)要求非常高，隨著(zhù)更大尺寸的硅晶圓片制造出來(lái)，相應地要求濺射靶材也朝著(zhù)大尺寸、高純度的方向發(fā)展。       另一方面，若靶材密度過(guò)高，則在照射電子束時(shí)靶材的表面和內部產(chǎn)生溫度差，并因熱膨脹的差異而發(fā)生靶材破損（由熱沖擊引起的破損）的問(wèn)題。若發(fā)生靶材破損，則會(huì )因碎片堵塞裝置而不能進(jìn)行連續成膜或者因電子束不均勻地照射而使成膜條件不均勻、膜質(zhì)變差。此時(shí)的膜質(zhì)變差，是指在膜厚分布、電阻分布方面變差。除上述通過(guò)穩定劑穩定氧化鋯外，本發(fā)明獨特優(yōu)點(diǎn)之一，是通過(guò)混合不同細度的氧化鋯原料，調控靶材燒結體的合適密度，起到舒緩氧化鋯開(kāi)裂的作用。靶材的方法很多。大體上，可以按材質(zhì)、按形狀、按應用領(lǐng)域。按形狀可分為長(cháng)靶、方靶、圓靶。金屬靶材（純金屬鋁、鈦、銅、鉭等）、合金靶材（鎳鉻合金、鎳鈷合金等）、陶瓷化合物靶材（氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等）。靶源頭商。       按應用領(lǐng)域靶材可分為半導體芯片靶材、平板顯示靶材、太陽(yáng)能電池靶材、信息存儲靶材、工具改性靶材、電子器件靶材、其他靶材。稀土領(lǐng)域，UVTM是全國范圍內稀土技術(shù)能力比較一體的后起之秀。尤特新材具備從稀土選礦、稀土分離，稀土金屬制備的全流程原創(chuàng )技術(shù)。現在大部分國家范圍內70%的稀土選冶都源于我們的技術(shù)。目前尤特新材是大部分國家能生產(chǎn)多種非常高純稀土金屬的企業(yè)。材料技術(shù)也具備國內先進(jìn)水平。遼純靶材。光碟的膜層也是多層組成的，它在染料層上鍍上30nm厚的鐵鈷合金記錄層，里面混有非晶態(tài)稀土過(guò)渡元素，再鍍上20到100nm厚的氮化硅介質(zhì)層，后鍍上鋁膜反射層。這些需要落得磁性能。能夠記錄數據的電子產(chǎn)品，要實(shí)現這些功能，還是要靠各種不同物質(zhì)所濺射而成的薄膜。