目前，國內(nèi)外鎳鉻合金靶材在純度方面的差距顯著，國內(nèi)所生產(chǎn)的鎳鉻合金靶材能達到4N級，而日本相關靶材廠家制備的鎳鉻靶可以達到5N以上。超高純、高利用率與良好的濺射沉積均勻性是高質量靶材所追求的優(yōu)良特性，因此在靶材基本制備方法的基礎上，需要不斷優(yōu)化工藝提高靶材質量，具體地，從高純化、提高磁透率(PTF)以及組織結構控制等方面提高靶材質量，將成為鎳鉻合金靶材制備工藝的發(fā)展趨勢。 靶材的組織結構控制也與濺射沉積均勻性有密切關系。通常濺射靶材晶粒尺寸需要控制在200μm以下，而且晶粒尺寸越細小均勻，濺射鍍膜的厚度分布越均勻，濺射速率也越快。鎳鉻硅化物作為優(yōu)良的接觸材料廣泛應用于low-e玻璃和半導體制造中，鎳鉻合金濺射靶材成為保證LOW-E和半導體器件性能和發(fā)展半導體技術的關鍵材料，其不斷增長的需求量為中國貴金屬靶材制造業(yè)的發(fā)展提供了機遇和挑戰(zhàn)。 新材料靶材廠家在純度上有了新的突破，高純化、靶材組織結構控制以及提高磁透率(PTF)將成為鎳鉻合金靶材制備工藝的發(fā)展趨勢。提高靶材純度到5N以上，晶粒大小均勻且平均晶粒尺寸控制在 200 μm 以下，是目前鎳鉻靶材工藝優(yōu)化的目標。 鎳鉻合金靶材的晶體織構與靶材濺射性能的關聯(lián)性研究以及織構控制等方面也將是鎳鉻合金濺射靶材新的研發(fā)趨勢。