在將金屬提純到相當高的純度后，往往還需配比其他金屬元素才能投入使用，在這個(gè)過(guò)程中，需要經(jīng)過(guò)熔煉、合金化和鑄造等步驟：通過(guò)精煉高純金屬，去除氧氣、氮氣等多余氣體；再加入少量合金元素，使其與高純金屬充分結合并均勻分布；后將其鑄造成沒(méi)有缺陷的錠材，滿(mǎn)足生產(chǎn)加工過(guò)程中對金屬成份、尺寸大小的要求。需要將化學(xué)提純和物理提純結合使用。合金靶材：鐵鈷靶FeCo、鋁硅靶AlSi、鈦硅靶TiSi、鉻硅靶CrSi、鋅鋁靶ZnAl、鈦鋅靶材TiZn、鈦鋁靶TiAl、鈦鋯靶TiZr、鈦硅靶TiSi、鈦鎳靶TiNi、鎳鉻靶NiCr、鎳鋁靶NiAl、鎳釩靶NiV、鎳鐵靶NiFe等。陶瓷靶材ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶。     大部分國家靶材市場(chǎng)空間持續擴大，面板應用是國產(chǎn)替代賽道。20世紀90年代以來(lái)，隨著(zhù)消費電子等終端應用市場(chǎng)的飛速發(fā)展。繼TCL科技旗下華星光電20億元入股日本面板企業(yè)JOLED，布局噴墨印刷OLED領(lǐng)域之后。TCL科技或將出資100億拿下中電熊貓。中國電子計劃出售中電熊貓三條液晶面板產(chǎn)線(xiàn)的股份，京東方出價(jià)60億元-70億元，而TCL科技愿意以100億元左右收購中電熊貓，中國電子選擇出價(jià)更高的TCL科技。       而且上下游供應鏈維持良好，ITO導電膜產(chǎn)業(yè)處于大部分國家的領(lǐng)導地位。2008年大部分國家ITO導電膜產(chǎn)品供不應求，隨著(zhù)市場(chǎng)需求的逐步擴大，及行業(yè)技術(shù)的逐漸發(fā)展，韓國企業(yè)陸續進(jìn)入，包括韓國LG化學(xué)，SKC等企業(yè)。具備一定技術(shù)實(shí)力的中國地區企業(yè)。大陸企業(yè)也紛紛進(jìn)入這一行業(yè)。在靶材應用領(lǐng)域中，半導體芯片對靶材的金屬材料純度、內部微觀(guān)結構等方面都設定了極其苛刻的標準，需要掌握生產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)并經(jīng)過(guò)長(cháng)期實(shí)踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品。因此，半導體芯片對靶材的要求是比較高的,一般要求靶材的純度要在99.999%以上,價(jià)格也昂貴。中國超過(guò)韓國成為大部分國家大的LCD生產(chǎn)大國;2019年,韓國宣布繼續減少LCD產(chǎn)能轉戰OLED市場(chǎng),中國持續布局OLED、LCD顯示器、導電玻璃以及太陽(yáng)能電池等。       ITO靶材成形的工藝有冷靜壓成。ITO/Si異質(zhì)結光電器件與p-n結光電池比較具有工藝簡(jiǎn)單,轉換效率高等特點(diǎn)。在靶材制造的過(guò)程中，需要經(jīng)歷粉末冶煉、粉末混合、壓制成型、氣氛燒結、塑性加工、熱處理、超聲探傷、機械加工、水切割、機械加工、金屬化、綁定、超聲、超聲清洗、檢驗出貨。ITO有著(zhù)多種功用,首先ITO為高帶隙材料,可用作光電池的光入射窗口,又可作為收集光電流的電極,在基底半導體Si上形成勢壘作為SIS結的一層以及抗反射層。銦是中國在儲量上占據優(yōu)勢的資源。磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射。其中直流濺射設備原理簡(jiǎn)單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛。除可濺射導電材料外。旋轉靶材。 WSTS預計，2018年大部分國家半導體規模增速達12.4%。2010~2016年，大部分國家半導體銷(xiāo)售額保持平穩發(fā)展，而2017年大部分國家市場(chǎng)增速超預期，達21.62%，特別是存儲器市場(chǎng)，增速高達61.49%。一方面，存儲芯片需求旺盛，產(chǎn)品價(jià)格大幅上漲，另一方面，物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子、AI等新應用拉動(dòng)下游需求，WSTS 預計，在A(yíng)I、智能駕駛、5G、VR/AR等需求持續帶動(dòng)下，2018年大部分國家半導體行業(yè)將實(shí)現12.4%的增速，2019年的增速預估為4.4%。        主要用于五金裝飾的耐磨、耐腐蝕硬膜，LOW-E鍍膜玻璃，半導體電子加工尺寸:長(cháng)度:4000MM厚度:6-10MM，直型、狗骨型，對于貨品靶材，若剩余下的高純殘靶若以普通廢料進(jìn)行處理，將會(huì )是對稀貴材料的較大浪費；同時(shí)，靶材從原材料到加工成成品，成材率一般只有40%-80%，大量的余料和殘屑需要更新循環(huán)利用。對于貨品靶材，由于材料價(jià)格昂貴，迫切需要對加工過(guò)程的余料殘屑的提純再利用及對殘進(jìn)行回收加工增值服務(wù)，有效增加材料利用效率和節約資源。對于貨品余料殘屑及殘的處理可為機械物理法回收和化學(xué)精煉提純回收。機械物理法可應用于單質(zhì)金屬殘靶及加工廢料。通過(guò)機械切削對單質(zhì)殘表面進(jìn)行處理，然后采用酸洗去除表面殘留雜質(zhì)的方法對殘祀回收再利用。金屬鈮靶材。       硅的原子結構決定了硅原子具有一定的導電性，但由于硅晶體中沒(méi)有明顯的自由電子，因此導電率不及金屬，且隨溫度升高而增加，因而具有半導體性質(zhì)。微電子領(lǐng)域對靶材濺射薄膜的品質(zhì)和電阻要求是相當苛刻的。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀(guān)結構。電阻率是硅靶材產(chǎn)品的重要參數之一，除特殊用途外，絕大多數硅靶材電阻率要求越低越好，開(kāi)始應用時(shí)電阻率要求在0.1-0.5Ω·cm范圍內，逐漸降低至小于0.1Ω·cm，目前標準電阻率為0.02-0.04Ω·cm。為克服現有技術(shù)的不足，UVTM的研發(fā)人員開(kāi)發(fā)了一種超低阻硅靶材，在硅材料中摻入處理過(guò)的高硼含量母合金，使硅靶材的電阻率小于0.01Ω·cm。噴涂網(wǎng)。  在芯片制造設備領(lǐng)域。美國、日本、荷蘭依然占主要地位。國內的芯片制造與韓國和歐洲的企業(yè)相比都相距甚遠。芯片制造設備，半導體材料對于芯片產(chǎn)業(yè)的重要性也是不言而喻。半導體材料可以分為晶圓材料和封裝材料,中國的半導體行業(yè)正處于成長(cháng)關(guān)鍵期，材料和技術(shù)仍依賴(lài)***，受到國際市場(chǎng)影響，圍繞半導體行業(yè)的焦慮在持續蔓延。特別是存儲器市場(chǎng)。增速高達61.49%。一方面，存儲芯片需求旺盛，價(jià)格大幅上漲，另一方面，物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子、AI等新應用拉動(dòng)下游需求。半導體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料，料包括硅片（37%）、光刻膠、光刻膠配套試劑、濕電子化學(xué)品、電子氣體、P拋光材料、以及靶材等；、引線(xiàn)框架、樹(shù)脂、鍵合絲、錫球、以及電鍍液等。       半導體領(lǐng)域對靶材的要求非常高，對濺射靶材的金屬材料純度、內部微觀(guān)結構等方面都設定了極其苛刻的標準，需要掌握生產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)并經(jīng)過(guò)長(cháng)期實(shí)踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品，因而有實(shí)力產(chǎn)出高純電子級靶材的企業(yè)與公司并不得多，也使得電子級靶材價(jià)格較為昂貴。過(guò)去，半導體靶材這種高精尖的材料制造工藝一般是掌握在如住友化學(xué)、霍尼韋爾等美、日企業(yè)手上，整個(gè)行業(yè)呈現出寡頭壟斷的格局。這些企業(yè)在掌握濺射靶材生產(chǎn)的核心技術(shù)以后，實(shí)施極其嚴格的保密措施，限制技術(shù)擴散，同時(shí)不斷進(jìn)行橫向擴張和垂直整合，將業(yè)務(wù)觸角積極擴展到濺射鍍膜的各個(gè)應用領(lǐng)域。牢牢把握著(zhù)大部分國家濺射靶材市場(chǎng)的主動(dòng)權。