高純靶材主要用于對材料純度、穩定性要求更高的領(lǐng)域，像集成電路、平板顯示器、太陽(yáng)能電池、記錄媒體、智能玻璃等行業(yè)。在濺射靶材應用領(lǐng)域中，半導體芯片對濺射靶材的要求是比較高的，要求靶材純度很高，一般在5N（99.999%）以上。半導體產(chǎn)業(yè)對濺射靶材和濺射薄膜的品質(zhì)要求非常高，隨著(zhù)更大尺寸的硅晶圓片制造出來(lái)，相應地要求濺射靶材也朝著(zhù)大尺寸、高純度的方向發(fā)展，同時(shí)也對濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。半導體材料市場(chǎng)占比在 3%左右的濺射靶材。簡(jiǎn)單地說(shuō)，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，通過(guò)更換不同的靶材（如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。 我國磁控濺射靶材的需求量盡量保持穩定增長(cháng)，截止2018年我國磁控濺射靶材需求量達到45.37萬(wàn)噸。未來(lái)我國磁控濺射靶材需求量未來(lái)將繼續保持增長(cháng)，預計到2025年我國磁控濺射靶材需求量將達到70.48萬(wàn)噸。濺射靶材的要求較傳統材料行業(yè)高，一般要求如，尺寸、平整度、純度、各項雜質(zhì)含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制；較高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與籌備均勻性、異物（氧化物）含量與尺寸、導磁率、非常高密度與超細晶粒等等。磁控濺射鍍膜是一種新型的物理氣相鍍膜方式,就是用電子槍系統把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉換原理以較高的動(dòng)能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。濺射靶材有金屬，合金，陶瓷化合物等。  什么是靶材，如何應用于半導體行業(yè)？中國芯片究竟在哪個(gè)環(huán)節被美國“卡”了脖子？高純度濺射靶材主要應用于電子元器件制造，2019年，我國芯片自給率僅為30%左右。根據有關(guān)部門(mén)的發(fā)展規劃，2025年，中國預計將芯片自給率提升到70%，這差不多是當下美國等芯片大國的平均水平。作為一個(gè)龐大且復雜的行業(yè)，芯片行業(yè)擁有一條超長(cháng)的產(chǎn)業(yè)鏈。其整體可分為設計、制造、封裝、四大環(huán)節。除了在設計領(lǐng)域，國內廠(chǎng)商擁有一定的打破能力，其他三個(gè)環(huán)節，尤其是在制造環(huán)節，國內廠(chǎng)商的能力仍有較大的提升空間。 平板顯示鍍膜用濺射靶材主要品種有:鉬靶、鋁靶、鋁合金靶、鉻靶、 銅靶、銅合金靶、硅靶、鈦靶、鈮靶和氧化銦錫(ITO)靶材等。硅靶材作為應用于手機玻璃蓋板的重要靶材產(chǎn)品,它的的研發(fā)情況、現在市場(chǎng)占有率、以及未來(lái)市場(chǎng)前景如何？從行業(yè)角度看,國內靶材市場(chǎng)至少有十倍的***替代空間。靶材是半導體、顯示面板、異質(zhì)結光伏領(lǐng)域等的關(guān)鍵核心材料,存在工藝不可替代性。據測算2019年大部分國家靶材市場(chǎng)規模在160億美元左右,而國內總需求占比超30%。太陽(yáng)能方面，HJT電池成本構成中,硅片占比接近50%;非硅材料成本構成中,銀漿與靶材合計占比超過(guò)70%。2021年由于上游硅料供給受限以及虛擬商品價(jià)格波動(dòng),光伏產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)格呈現短期非常態(tài),對于電池成本構成因素的研究有較大擾動(dòng)。 HJT電池的成本主要由硅片、漿料、靶材、設備折舊和其他構成，成本占比分別為53%/25%/6%/5%/11%。目前HJT非硅成本占比約47%，而PERC電池非硅成本占比約43%，主要是HJT低溫銀漿、靶材、設備等非硅成本較高。目前HJT電池銀耗約為PERC的2倍多。PERC的銀漿通過(guò)高溫燒結固化，銀粉熔融在一起，容易形成導電通路。而HJT是低溫工藝，低溫銀漿的導電性能弱于高溫銀漿，因此需要提高銀的含量來(lái)提高導電性。未來(lái)HJT降本主要依靠硅耗減少、銀漿降本、靶材國產(chǎn)化、設備降本來(lái)實(shí)現。銀包銅技術(shù)有望大幅降本，柵線(xiàn)工藝優(yōu)化降低銀耗。銀包銅是在銅的表面包裹銀粉，低溫加工工藝使得銅作為導電材料，從而降低銀的使用量。一般低溫銀漿中銀含量約92%，8%為農業(yè)生產(chǎn)體系物玻璃粉等，而銀包銅中銀、銅、農業(yè)生產(chǎn)體系物的含量分別為41%/51%/8%，使得銀含量占比降低近一半。 靶材的生產(chǎn)制造具有一定的技術(shù)壁壘。由于靶材的質(zhì)量直接影響TCO薄膜的一致性和均勻性，因此靶材的純度、致密度和均勻性等要求較高，靶材的金屬純度要求達到99.995%以上，靶材的致密度對TCO薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能有顯著(zhù)影響，靶材的成分、晶粒度直接影響薄膜的一致性和均勻性，因此靶材的材料和制造工藝具有一定的技術(shù)壁壘。靶材是TCO薄膜生產(chǎn)的核心材料。TCO薄膜生產(chǎn)主要采用ITO、SCOT、IWO、ICO四種靶材，濺射是制造TCO薄膜的主要工藝，利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中經(jīng)過(guò)加速聚集，形成高速離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面的原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體稱(chēng)為濺射靶材。TCO薄膜沉積主要采用PVD和RPD兩種技術(shù)，PVD技術(shù)以ITO、SCOT作為靶材，RPD以IWO、ICO作為靶材。