氧化錫銻(ATO)具有以下不錯的性能。導電性，均勻分散的導電納米超微粒子的相互作用形成導電膜，導電膜中電荷移動(dòng)可實(shí)現高透射率和防靜電（30Ω.cm2），透明性，ATO納米超微粒子對可視光（380nm-780nm）的吸收率極弱，而且對可視光難以散射的大小粒子組成，所以有著(zhù)高的透明性。隔紅外、隔紫外、防輻射性能，能有效地阻止紅外輻射和紫外線(xiàn)輻射，阻隔紅外效果達80%以上，阻隔紫外效果達65%以上。朝純靶材。 靶材是高速荷能粒子轟擊的目標材料，故靶材也叫濺射靶材（純度：99.9%-99.999%），具有較高的技術(shù)壁壘。銀是目前使用廣泛的導電層薄膜材料之一。和超大規模集成電路芯片的制造對濺射靶材金屬純度的要求相比，太陽(yáng)能電池用鋁靶的金屬純度略低，99.995%（4N5）以上。高純貨品靶材被譽(yù)為半導體芯片材料的強者，半導體產(chǎn)業(yè)對濺射靶材和濺射薄膜的品質(zhì)要求非常高，隨著(zhù)更大尺寸的硅晶圓片制造出來(lái)，相應地要求濺射靶材也朝著(zhù)大尺寸、高純度的方向發(fā)展，同時(shí)也對濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。高純貨品靶材在電子信息產(chǎn)業(yè)中的應用廣泛，因貨品有良好的化學(xué)穩定性，高電導率、熱導率，以及特有的電學(xué)、磁學(xué)、光學(xué)等性能。 UVTM有自身優(yōu)勢，多年在材料研發(fā)和應用上的積累，生產(chǎn)制造到成品靶材的全過(guò)程，擁有垂直產(chǎn)業(yè)鏈；在集成電路先進(jìn)制程前道工藝所需要的新材料產(chǎn)品方面已經(jīng)取得一定成績(jì),G8.5代、G6代液晶面板的非常高純鋁濺射靶材也已開(kāi)始給國內液晶面板的****企業(yè)供貨。合為客戶(hù)提供“一站式”靶材解決方案。在沒(méi)有美國設備的情況下，理論上建立一條半導體生產(chǎn)線(xiàn)是可行的，但日本、歐洲乃至中國國內的設備在許多領(lǐng)域并不****。靶材用于非常高清(UHD)TFT-LCD面板我們獨有的產(chǎn)品組合為客戶(hù)提供“一站式”靶材解決方案。產(chǎn)品組合包含及其廣泛的材料選擇，可以根據客戶(hù)要求提供單一元素或多種組分的濺射靶材。包括特殊陶瓷、金屬基復合材料(MMC)以及陶瓷基復合材料(C)。芯片設計是半導體上游的部分，設計工種又可粗略分為前端代碼設計、系統驗證與應用、后端布局布線(xiàn)和供應鏈。 主要產(chǎn)品有各種磁控濺射鍍膜靶材，蒸發(fā)鍍膜材料，半導體化合物，高純金屬及貨品靶材，稀土金屬，稀土合金，中間合金，多元陶瓷材料及靶材。金屬濺射鍍膜靶材:合金濺射鍍膜靶材高純蒸發(fā)鍍膜顆粒材料：貨品顆粒，金顆粒，貨品顆粒，鉑顆粒，鈀顆粒，釕顆粒，錸顆粒，銥絲，銠顆粒，銠片，鋨珠，金絲，金片，金條，銀板以及常見(jiàn)金屬顆粒蒸發(fā)材料。 真空鍍膜機是目前制作真空條件應用較為廣泛的真空設備，一般用真空室、真空機組、電氣控制柜三大部分組成，排氣系統采用“擴散泵 機械泵＋羅茨泵＋低溫冷阱＋polycold;組成。專(zhuān)業(yè)從事真空鍍膜設備的研發(fā)與生產(chǎn)擁有經(jīng)驗豐富的技術(shù)團隊及優(yōu)質(zhì)的服務(wù)隊伍為您解決設備在使用過(guò)程中遇到的任何問(wèn)題。真空主體;真空腔根據加工產(chǎn)品要求的各異，真空腔的大小也不一樣，目前應用較多的有直徑1.3M、0.9M、1.5M、1.8M等，腔體由不銹鋼材料制作，要求不生銹、堅實(shí)等，真空腔各部分有連接閥，用來(lái)連接各抽氣泵浦。抽氣系統：排氣系統為鍍膜機真空系統的重要部分，主要有由機械泵、增壓泵（主要介紹羅茨泵）、油擴散泵三大部分組成。 ITO靶材的生產(chǎn)工藝可以分為3種：熱等靜壓法(HIP)、濺射靶材熱壓法(HP)和氣氛燒結法。ITO靶材的熱等靜壓制作過(guò)程是將粉末或預先成形的胚體，在800℃～1400℃及1000kgf/cm2～2000kgf/cm2的壓力下等方加壓燒結。熱等靜壓工藝制造產(chǎn)品密度高、物理機械性能好，但設備投入高，生產(chǎn)成本高，產(chǎn)品的缺氧率高。ITO靶材的熱壓制作過(guò)程是在石墨或氧化鋁制的模具內充填入適當粉末以后，以100kgf/cm2～1000kgf/cm2的壓力單軸向加壓，同時(shí)以1000℃～1600℃進(jìn)行燒結。熱壓工藝制作過(guò)程所需的成型壓力較小，燒結溫度較低，燒結較短。但熱壓法生產(chǎn)的ITO靶材由于缺氧率高，氧含量分布不均勻。